Ga_2O_3-In_2O_3透明导电氧化物的光电性能

Ga_2O_3-In_2O_3透明导电氧化物的光电性能

作者:师大云端图书馆 时间:2015-07-04 分类:参考文献 喜欢:2024
师大云端图书馆

【摘要】随着透明光电子器件的应用与发展,深紫外透明氧化物半导体的光电性能越来越受到人们的光注。Ga2(1-x)In2xO3(Ga2O3-In2O3)固溶体可认为是Ga2O3和In2O3的合金相,其光学带隙能随In含量的变化在3.7~4.9eV之间发生变化。Ga2(1-x)In2xO3固溶体具有较宽的光学带隙,故在深紫外波段透过率较高,可以用来作为一些深紫外光电子器件。但是,满足化学计量比的Ga2(1-x)In2xO3导电性较差,所以我们通过引入缺陷或者杂质来提高Ga2(1-x)In2xO3的导电性,从而为在实验中得到高透过率、高电导率的Ga2(1-x)In2xO3薄膜提供理论和实验依据。在理论方面,本文运用第一性原理方法,研究了不同Sn掺杂位置和掺杂浓度以及氧空位对Ga2(1-x)In2xO3的电子结构和光电性质的影响。研究发现,在Sn掺杂Ga1.375In0.625O3中,Sn—O键具有较强的离子性,Sn4+更倾向于替位掺杂In3+。Sn掺杂Ga1.375In0.625O3是典型的n型简并半导体,杂质能带主要是由Sn5s态组成的。Ga1.25In0.625Sn0.125O3具有较小的电子有效质量和较大的电子迁移率,而Ga1.375In0.5Sn0.125O3具有较大的相对电子数量和电导率。随Sn掺杂浓度的增加,Sn掺杂Ga1.375In0.625O3的晶格常数有所增加,光学带隙减小,相对电子数量增加,电子迁移率降低,电导率增强。含VO(3)的Ga1.5In0.5O3晶体结构最稳定。随氧空位的形成,费米能级附近形成一条施主杂质能级。VO(3)中电子的电离能最大,故导电性较差。含氧空位VO(1)和VO(2)的Ga1.5In0.5O3的杂质能级主要是由Ga4s、4p态和O2p态组成;而含氧空位VO(3)的Ga1.5In0.5O3的杂质能级主要是由Ga4s、4p态,In5s、5p态以及O2p态组成。在氧空位形成之后,镓铟氧化物的光透过率仍较高。在实验方面,运用射频磁控溅射和直流磁控溅射技术制备了Ga2O3-In2O3:Sn多层交替结构薄膜。研究发现,多层交替薄膜的结构、光学和电学性质随周期数的变化而变化。其中,72nm厚度的二周期Ga2O3-In2O3:Sn多层薄膜的光电性能较好:具有低的面电阻225.5/sq,在300nm波长透过率超过62.9%。经退火处理后,研究了退火温度对Ga2O3-In2O3:Sn膜系的光电特性的影响,得到了Ga2(1-x)In2xO3固溶体形成时的退火温度。二周期Ga2O3-In2O3:Sn薄膜经600C退火后具有较好的光电性能。
【作者】徐诚阳;
【导师】闫金良;
【作者基本信息】鲁东大学,原子与分子物理,2014,硕士
【关键词】Ga2O3-In2O3;第一性原理计算;磁控溅射;电子结构;光电特性;

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